제조업체 부품 번호 : | SI7450DP-T1-GE3 |
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RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
제조업체 / 브랜드 : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
재고 상태 : | 29128 pcs Stock |
기술 : | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 |
에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | SI7450DP-T1-GE3.pdf |
선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | SI7450DP-T1-GE3 |
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제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
기술 | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 29128 pcs |
사양서 | SI7450DP-T1-GE3.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 250µA |
Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 80 mOhm @ 4A, 10V |
전력 소비 (최대) | 1.9W (Ta) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
다른 이름들 | SI7450DP-T1-GE3TR SI7450DPT1GE3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 33 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 42nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200V |
상세 설명 | N-Channel 200V 3.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.2A (Ta) |
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
유품MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
유품MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
유품MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
유품MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
유품MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
유품MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
유품MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
유품MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
유품MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
유품