제조업체 부품 번호 : | JAN2N2219A | RoHS 상태 : | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
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제조업체 / 브랜드 : | Microsemi | 재고 상태 : | 2136 pcs Stock |
기술 : | TRANS NPN 50V 0.8A | 에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | JAN2N2219A.pdf | 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | JAN2N2219A |
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제조사 | Microsemi |
기술 | TRANS NPN 50V 0.8A |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
사용 가능한 양 | 2136 pcs |
사양서 | JAN2N2219A.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 1V @ 50mA, 500mA |
트랜지스터 유형 | NPN |
제조업체 장치 패키지 | TO-39 |
연속 | Military, MIL-PRF-19500/251 |
전력 - 최대 | 800mW |
포장 | Bulk |
패키지 / 케이스 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
다른 이름들 | 1086-2321 1086-2321-MIL |
작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 8 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant |
주파수 - 전환 | - |
상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100 @ 150mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 10nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 800mA |
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
TRANS NPN 50V 0.8A
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
TRANS NPN 80V 1A TO39
TRANS NPN 80V 0.5A TO-39
TRANS PNP 60V 0.6A TO18
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
TRANS NPN 55V 1.5A TO-5
TRANS NPN 80V 1A
DIODE SILICON CTRL TO39