제조업체 부품 번호 : | SCTWA50N120 | RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
---|---|---|---|
제조업체 / 브랜드 : | STMicroelectronics | 재고 상태 : | 400 pcs Stock |
기술 : | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 | 에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | SCTWA50N120.pdf | 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | SCTWA50N120 |
---|---|
제조사 | STMicroelectronics |
기술 | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 400 pcs |
사양서 | SCTWA50N120.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 1mA |
Vgs (최대) | +25V, -10V |
과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
제조업체 장치 패키지 | HiP247™ |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 69 mOhm @ 40A, 20V |
전력 소비 (최대) | 318W (Tc) |
패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1900pF @ 400V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 122nC @ 20V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 20V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V |
상세 설명 | N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™ |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 65A (Tc) |
MOSFET N-CH
유품IC POWER MOSFET 1200V HIP247
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75
유품MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247