제조업체 부품 번호 : | SI1025X-T1-GE3 |
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RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
제조업체 / 브랜드 : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
재고 상태 : | 1250 pcs Stock |
기술 : | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89 |
에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | SI1025X-T1-GE3.pdf |
선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | SI1025X-T1-GE3 |
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제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
기술 | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 1250 pcs |
사양서 | SI1025X-T1-GE3.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지 | SC-89-6 |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
전력 - 최대 | 250mW |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
다른 이름들 | SI1025X-T1-GE3TR SI1025XT1GE3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 33 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 23pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 190mA |
기본 부품 번호 | SI1025 |
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
유품MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
유품IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
유품IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
유품IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
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