제조업체 부품 번호 : | SI4913DY-T1-GE3 |
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RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
제조업체 / 브랜드 : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
재고 상태 : | 5970 pcs Stock |
기술 : | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC |
에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | SI4913DY-T1-GE3.pdf |
선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | SI4913DY-T1-GE3 |
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제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
기술 | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 5970 pcs |
사양서 | SI4913DY-T1-GE3.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 500µA |
제조업체 장치 패키지 | 8-SO |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V |
전력 - 최대 | 1.1W |
포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들 | SI4913DY-T1-GE3CT |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 65nC @ 4.5V |
FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.1A 1.1W Surface Mount 8-SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.1A |
기본 부품 번호 | SI4913 |
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
유품MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
유품MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
유품MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
유품MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
유품MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
유품MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
유품MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
유품MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
유품MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
유품