제조업체 부품 번호 : | RS1E200BNTB |
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RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
제조업체 / 브랜드 : | LAPIS Semiconductor |
재고 상태 : | 540 pcs Stock |
기술 : | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | RS1E200BNTB(1).pdfRS1E200BNTB(2).pdf |
선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | RS1E200BNTB |
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제조사 | LAPIS Semiconductor |
기술 | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 540 pcs |
사양서 | RS1E200BNTB(1).pdfRS1E200BNTB(2).pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA |
Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | 8-HSOP |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
전력 소비 (최대) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
다른 이름들 | RS1E200BNTBTR |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 40 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3100pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 59nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Ta) |
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
유품MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP