제조업체 부품 번호 : | BUK9E2R8-60E,127 | RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
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제조업체 / 브랜드 : | NXP Semiconductors / Freescale | 재고 상태 : | 5678 pcs Stock |
기술 : | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | 에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | BUK9E2R8-60E,127 |
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제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
기술 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 5678 pcs |
사양서 | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.1V @ 1mA |
Vgs (최대) | ±10V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | I2PAK |
연속 | TrenchMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
전력 소비 (최대) | 349W (Tc) |
포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
다른 이름들 | 568-9872-5 934066513127 BUK9E2R860E127 |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 17450pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 120nC @ 5V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
상세 설명 | N-Channel 60V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) |
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