제조업체 부품 번호 : | S2M0025120D |
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RoHS 상태 : | |
제조업체 / 브랜드 : | Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions |
재고 상태 : | 재고 |
기술 : | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | S2M0025120D.pdf |
선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | S2M0025120D |
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제조사 | Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions |
기술 | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
사용 가능한 양 | 재고 |
사양서 | S2M0025120D.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 15mA |
Vgs (최대) | +25V, -10V |
과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-247AD |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 34mOhm @ 50A, 20V |
전력 소비 (최대) | 446W (Tc) |
패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
패키지 | Tube |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4402 pF @ 1000 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 130 nC @ 20 V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 20V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200 V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 63A (Tj) |
CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO
DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
유품MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
재고 PDFRFQMOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
재고 PDFRFQMOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
재고 PDFRFQ